適讀人群 ：本書適合從事通信線路工程設(shè)計(jì)、施工、監(jiān)理和維護(hù)的相關(guān)工程技術(shù)人員閱讀參考。
1.本書內(nèi)容全面，實(shí)用性強(qiáng)，不僅介紹了通信線路工程設(shè)計(jì)和施工基本情況，還結(jié)合實(shí)際工程建設(shè)經(jīng)驗(yàn)闡述了防護(hù)措施、維護(hù)、工程安全評估等內(nèi)容，并有針對性地提供了相關(guān)的強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范內(nèi)容。
2.專業(yè)：通信線路工程師手邊書，作者30多年通信線路工程設(shè)計(jì)、施工和項(xiàng)目管理相關(guān)工作的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)。
3.經(jīng)典：第1版熱銷9年，累計(jì)重印24次。
4.及時(shí)：更新相關(guān)規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)，增加綜合布線系統(tǒng)設(shè)計(jì)和通信管道人（手）孔標(biāo)準(zhǔn)圖。
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適讀人群 ：集成電路設(shè)計(jì)工程師，半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)者，微電子和集成電路專業(yè)師生
本書提供PPT學(xué)習(xí)資料，大家關(guān)注“科技電眼”微信公眾號，回復(fù)書后條碼下方ISBN號即可獲取。
溫老師又出新書啦，《CMOS集成電路閂鎖效應(yīng)》已經(jīng)正式面世，點(diǎn)擊書名跳轉(zhuǎn)！
內(nèi)容簡介
《集成電路制造工藝與工程應(yīng)用》以實(shí)際應(yīng)用為出發(fā)點(diǎn)，對集成電路制造的主流工藝技術(shù)進(jìn)行了逐一介紹，例如應(yīng)變硅技術(shù)、HKMG技術(shù)、SOI技術(shù)和FinFET技術(shù)，然后從工藝整合的角度，通過圖文對照的形式對典型工藝進(jìn)行介紹，例如隔離技術(shù)的發(fā)展、硬掩膜版工藝技術(shù)、LDD工藝技術(shù)、Salicide工藝技術(shù)、ESD IMP工藝技術(shù)、AL和Cu金屬互連。然后把這些工藝技術(shù)應(yīng)用于實(shí)際工藝流程中，通過實(shí)例讓讀者能快速的掌握具體工藝技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用。
《集成電路制造工藝與工程應(yīng)用》旨在向從事半導(dǎo)體行業(yè)的朋友介紹半導(dǎo)體工藝技術(shù)，給業(yè)內(nèi)人士提供簡單易懂并且與實(shí)際應(yīng)用相結(jié)合的參考書。本書也可供微電子學(xué)與集成電路專業(yè)的學(xué)生和教師閱讀參考。
章節(jié)目錄
- 封面
- 書名頁
- 版權(quán)頁
- 專家推薦
- 寫作緣由與編寫過程
- 致謝
- 目錄
- 第1章 引言
- 1.1 崛起的CMOS工藝制程技術(shù)
- 1.1.1 雙極型工藝制程技術(shù)簡介［1-2］
- 1.1.2 PMOS工藝制程技術(shù)簡介
- 1.1.3 NMOS工藝制程技術(shù)簡介
- 1.1.4 CMOS工藝制程技術(shù)簡介
- 1.2 特殊工藝制程技術(shù)
- 1.2.1 BiCMOS工藝制程技術(shù)簡介［5,6］
- 1.2.2 BCD工藝制程技術(shù)簡介
- 1.2.3 HV-CMOS工藝制程技術(shù)簡介
- 1.3 MOS集成電路的發(fā)展歷史
- 1.4 MOS器件的發(fā)展和面臨的挑戰(zhàn)
- 參考文獻(xiàn)
- 第2章 先進(jìn)工藝制程技術(shù)
- 2.1 應(yīng)變硅工藝技術(shù)
- 2.1.1 應(yīng)變硅技術(shù)的概況
- 2.1.2 應(yīng)變硅技術(shù)的物理機(jī)理
- 2.1.3 源漏嵌入SiC應(yīng)變技術(shù)
- 2.1.4 源漏嵌入SiGe應(yīng)變技術(shù)
- 2.1.5 應(yīng)力記憶技術(shù)
- 2.1.6 接觸刻蝕阻擋層應(yīng)變技術(shù)
- 2.2 HKMG工藝技術(shù)
- 2.2.1 柵介質(zhì)層的發(fā)展和面臨的挑戰(zhàn)
- 2.2.2 襯底量子效應(yīng)
- 2.2.3 多晶硅柵耗盡效應(yīng)
- 2.2.4 等效柵氧化層厚度
- 2.2.5 柵直接隧穿漏電流
- 2.2.6 高介電常數(shù)介質(zhì)層
- 2.2.7 HKMG工藝技術(shù)
- 2.2.8 金屬嵌入多晶硅柵工藝技術(shù)
- 2.2.9 金屬替代柵極工藝技術(shù)
- 2.3 SOI工藝技術(shù)
- 2.3.1 SOS技術(shù)
- 2.3.2 SOI技術(shù)
- 2.3.3 PD-SOI
- 2.3.4 FD-SOI
- 2.4 FinFET和UTB-SOI工藝技術(shù)
- 2.4.1 FinFET的發(fā)展概況
- 2.4.2 FinFET和UTB-SOI的原理
- 2.4.3 FinFET工藝技術(shù)
- 參考文獻(xiàn)
- 第3章 工藝集成
- 3.1 隔離技術(shù)
- 3.1.1 pn結(jié)隔離技術(shù)
- 3.1.2 LOCOS（硅局部氧化）隔離技術(shù)
- 3.1.3 STI（淺溝槽）隔離技術(shù)
- 3.1.4 LOD效應(yīng)
- 3.2 硬掩膜版（Hard Mask）工藝技術(shù)
- 3.2.1 硬掩膜版工藝技術(shù)簡介
- 3.2.2 硬掩膜版工藝技術(shù)的工程應(yīng)用
- 3.3 漏致勢壘降低效應(yīng)和溝道離子注入
- 3.3.1 漏致勢壘降低效應(yīng)
- 3.3.2 暈環(huán)離子注入
- 3.3.3 淺源漏結(jié)深
- 3.3.4 倒摻雜阱
- 3.3.5 阱鄰近效應(yīng)
- 3.3.6 反短溝道效應(yīng)
- 3.4 熱載流子注入效應(yīng)與輕摻雜漏（LDD）工藝技術(shù)
- 3.4.1 熱載流子注入效應(yīng)簡介
- 3.4.2 雙擴(kuò)散漏（DDD）和輕摻雜漏（LDD）工藝技術(shù)
- 3.4.3 側(cè)墻（Spacer Sidewall）工藝技術(shù)
- 3.4.4 輕摻雜漏離子注入和側(cè)墻工藝技術(shù)的工程應(yīng)用
- 3.5 金屬硅化物技術(shù)
- 3.5.1 Polycide工藝技術(shù)
- 3.5.2 Salicide工藝技術(shù)
- 3.5.3 SAB工藝技術(shù)
- 3.5.4 SAB和Salicide工藝技術(shù)的工程應(yīng)用
- 3.6 靜電放電離子注入技術(shù)
- 3.6.1 靜電放電離子注入技術(shù)
- 3.6.2 靜電放電離子注入技術(shù)的工程應(yīng)用
- 3.7 金屬互連技術(shù)
- 3.7.1 接觸孔和通孔金屬填充
- 3.7.2 鋁金屬互連
- 3.7.3 銅金屬互連
- 3.7.4 阻擋層金屬
- 參考文獻(xiàn)
- 第4章 工藝制程整合
- 4.1 亞微米CMOS前段工藝制程技術(shù)流程［1］
- 4.1.1 襯底制備
- 4.1.2 雙阱工藝
- 4.1.3 有源區(qū)工藝
- 4.1.4 LOCOS隔離工藝
- 4.1.5 閾值電壓離子注入工藝
- 4.1.6 柵氧化層工藝
- 4.1.7 多晶硅柵工藝
- 4.1.8 輕摻雜漏（LDD）離子注入工藝
- 4.1.9 側(cè)墻工藝
- 4.1.10 源漏離子注入工藝
- 4.2 亞微米CMOS后段工藝制程技術(shù)流程［1］
- 4.2.1 ILD工藝
- 4.2.2 接觸孔工藝
- 4.2.3 金屬層1工藝
- 4.2.4 IMD1工藝
- 4.2.5 通孔1工藝
- 4.2.6 金屬電容（MIM）工藝
- 4.2.7 金屬2工藝
- 4.2.8 IMD2工藝
- 4.2.9 通孔2工藝
- 4.2.10 頂層金屬工藝
- 4.2.11 鈍化層工藝
- 4.3 深亞微米CMOS前段工藝技術(shù)流程［1］
- 4.3.1 襯底制備
- 4.3.2 有源區(qū)工藝
- 4.3.3 STI隔離工藝
- 4.3.4 雙阱工藝
- 4.3.5 柵氧化層工藝
- 4.3.6 多晶硅柵工藝
- 4.3.7 輕摻雜漏（LDD）離子注入工藝
- 4.3.8 側(cè)墻工藝
- 4.3.9 源漏離子注入工藝
- 4.3.10 HRP工藝
- 4.3.11 Salicide工藝
- 4.4 深亞微米CMOS后段工藝技術(shù)
- 4.5 納米CMOS前段工藝技術(shù)流程
- 4.6 納米CMOS后段工藝技術(shù)流程［1］
- 4.6.1 ILD工藝
- 4.6.2 接觸孔工藝
- 4.6.3 IMD1工藝
- 4.6.4 金屬層1工藝
- 4.6.5 IMD2工藝
- 4.6.6 通孔1和金屬層2工藝
- 4.6.7 IMD3工藝
- 4.6.8 通孔2和金屬層3工藝
- 4.6.9 IMD4工藝
- 4.6.10 頂層金屬Al工藝
- 4.6.11 鈍化層工藝
- 參考文獻(xiàn)
- 第5章 晶圓接受測試（WAT）
- 5.1 WAT概述
- 5.1.1 WAT簡介
- 5.1.2 WAT測試類型
- 5.2 MOS參數(shù)的測試條件
- 5.2.1 閾值電壓Vt的測試條件
- 5.2.2 飽和電流Idsat的測試條件
- 5.2.3 漏電流Ioff的測試條件
- 5.2.4 源漏擊穿電壓BVD的測試條件
- 5.2.5 襯底電流Isub的測試條件
- 5.3 柵氧化層參數(shù)的測試條件
- 5.3.1 電容Cgox的測試條件
- 5.3.2 電性厚度Tgox的測試條件
- 5.3.3 擊穿電壓BVgox的測試條件
- 5.4 寄生MOS參數(shù)的測試條件
- 5.5 pn結(jié)參數(shù)的測試條件
- 5.5.1 電容Cjun的測試條件
- 5.5.2 擊穿電壓BVjun的測試條件
- 5.6 方塊電阻的測試條件
- 5.6.1 NW方塊電阻的測試條件
- 5.6.2 PW方塊電阻的測試條件
- 5.6.3 Poly方塊電阻的測試條件
- 5.6.4 AA方塊電阻的測試條件
- 5.6.5 金屬方塊電阻的測試條件
- 5.7 接觸電阻的測試條件
- 5.7.1 AA接觸電阻的測試條件
- 5.7.2 Poly接觸電阻的測試條件
- 5.7.3 金屬通孔接觸電阻的測試條件
- 5.8 隔離的測試條件
- 5.8.1 AA隔離的測試條件
- 5.8.2 Poly隔離的測試條件
- 5.8.3 金屬隔離的測試條件
- 5.9 電容的測試條件
- 5.9.1 電容的測試條件
- 5.9.2 電容擊穿電壓的測試條件
- 后記
- 縮略語
展開全部
集成電路制造工藝與工程應(yīng)用是2018年由機(jī)械工業(yè)出版社出版,作者溫德通。
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國之重器出版工程.5G叢書
國之重器出版工程，網(wǎng)絡(luò)強(qiáng)國建設(shè)，“十三五”國家重點(diǎn)出版物出版規(guī)劃項(xiàng)目。
作者權(quán)wei
幾位作者全部來自廣東省電信規(guī)劃設(shè)計(jì)院，本書是廣東省電信規(guī)劃設(shè)計(jì)院專家團(tuán)隊(duì)的全新力作。作者與中國移動(dòng)集團(tuán)、華為、高通、聯(lián)發(fā)科、南方電網(wǎng)公司等業(yè)界相關(guān)專家多番溝通探討，圖書內(nèi)容的質(zhì)量有保障。
廣東省電信規(guī)劃設(shè)計(jì)院有限公司
廣東省電信規(guī)劃設(shè)計(jì)院有限公司系中國通信服務(wù)股份有限公司旗下的龍頭咨詢設(shè)計(jì)企業(yè)。公司歷史悠久、資質(zhì)優(yōu)異、技術(shù)力量雄厚，知名度在國內(nèi)業(yè)界位列三 甲。公司前身可追溯到1952年成立的廣東省郵電管理局設(shè)計(jì)組，作為獨(dú)立法人單位則成立于1984年，系原郵電部首 批7家甲 級勘察設(shè)計(jì)單位之一。
內(nèi)容豐富，通讀完全文，讀者可全面了解：
5G通信技術(shù)是什么、如何發(fā)展的、技術(shù)上如何實(shí)現(xiàn)、行業(yè)中如何應(yīng)用；
智能電網(wǎng)的現(xiàn)狀、發(fā)展、概念、底層設(shè)計(jì)、技術(shù)特點(diǎn)、網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃設(shè)計(jì)以及應(yīng)用；
萬物互聯(lián)的智能社會(huì)，5G技術(shù)在智能電網(wǎng)中是如何應(yīng)用的及其應(yīng)用場景與價(jià)值是什么，5G承載電力業(yè)務(wù)的整體解決方案；
與同類書相比，內(nèi)容更有層次，不但講述“如何做”（特別是在實(shí)際中如何做），更加講述了“為什么要這么做”，對任何關(guān)鍵的技術(shù)都是從理論到實(shí)際，輔以生動(dòng)的（2G/3G/4G）實(shí)例；
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2.作者為行業(yè)知名專家，主持了中國聯(lián)通許多重大技術(shù)工作，還擔(dān)任過多個(gè)科研課題的負(fù)責(zé)人。
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本書主要介紹了如下內(nèi)容：二極管電路、三極管放大電路、場效應(yīng)管放大電路、功率放大電路、集成運(yùn)算放大電路、電源電路、正弦波振蕩電路和高頻電路。最后，結(jié)合仿真軟件，對書中的重點(diǎn)內(nèi)容進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)和驗(yàn)證。
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